探秘澤攸ZEM20掃描顯微鏡能參數(shù)全解析

ZEM20的性能參數(shù)體現(xiàn)了其在臺式電鏡中的技術定位。成像分辨率方面，在20kV加速電壓下，二次電子像分辨率優(yōu)于4.0nm，背散射電子像分辨率可達5.0nm。放大倍數(shù)范圍從20倍到36萬倍連續(xù)可調，涵蓋了從宏觀觀察到微觀細節(jié)的廣泛需求。

電子光學系統(tǒng)參數(shù)顯示，加速電壓范圍1-20kV，步進0.1kV可調；電子槍采用預對中鎢燈絲，典型壽命超過100小時。樣品室真空度優(yōu)于5×10?3Pa，確保電子束傳播過程中不受殘余氣體分子過多干擾。樣品臺移動范圍達到X/Y軸±25mm，Z軸5-40mm連續(xù)可調，傾斜角度-10°至+90°，旋轉角度360°連續(xù)可調。

在探測系統(tǒng)方面，標配的二次電子探測器采用閃爍體-光導管-光電倍增管組合，具有較高信噪比。背散射電子探測器為四象限半導體探測器，支持成分分析和形貌分析兩種工作模式。設備還預留了能譜儀接口，可擴展安裝EDS探測器進行元素分析。

ZEM20的性能參數(shù)包括成像、真空與操作等方面。在成像性能上，其二次電子與背散射電子圖像分辨率均達到4nm，放大倍數(shù)范圍為數(shù)十倍至36萬倍。加速電壓最大支持20kV，并可選擇高真空或低真空模式（低真空為選配）。電子槍類型為預對中鎢燈絲，壽命較長。樣品臺標準配置為三軸，可選五軸，移動范圍靈活。真空系統(tǒng)采用獨特分隔設計，抽真空時間短，換樣后準備迅速。探測器類型涵蓋SE（二次電子）與BSE（背散射電子）。設備還支持圖像多格式保存（如TIFF、JPEG），分辨率最高可達7680×4800像素。這些參數(shù)保證了ZEM20在微觀形貌觀察中的表現(xiàn)。探秘澤攸ZEM20掃描顯微鏡能參數(shù)全解析