在半導(dǎo)體行業(yè)，晶圓表面形貌的微小缺陷可能導(dǎo)致器件性能驟降。布魯克ContourX-500憑借其高分辨率與自動化能力，成為前端與后端制造過程的質(zhì)量守護者。

產(chǎn)品細節(jié)與性能
ContourX-500的USI通用掃描模式專為半導(dǎo)體設(shè)計，可同步檢測CMP后模具的平面度、凸起高度與共面性。其光學(xué)頭傾斜技術(shù)使測頭在±6°范圍內(nèi)移動時，仍能保持測量點與視場中心重合，避免傳統(tǒng)設(shè)備因角度調(diào)整導(dǎo)致的視場偏移。設(shè)備支持12英寸晶圓的全自動測量，單片檢測時間較接觸式探針縮短80%。

用材與參數(shù)
主體采用無塵室兼容材料，表面粗糙度Ra＜0.1μm，減少顆粒吸附。光學(xué)系統(tǒng)配備超低噪聲CMOS傳感器與抗反射涂層物鏡，信噪比提升30%，適合檢測低反射率材料（如多晶硅）。Z軸測量范圍0.1nm至10mm，臺階高度重復(fù)性0.08%（1σ），滿足SEMI標準要求。軟件提供“晶圓地圖"功能，可標記缺陷位置并生成熱力圖。

用途與使用說明
ContourX-500適用于晶圓表面粗糙度分析、光刻膠厚度測量及3D封裝結(jié)構(gòu)檢測等場景。操作流程如下：

1. 晶圓裝載：通過真空吸盤固定樣品，自動識別中心位置；

2. 模式選擇：切換至“半導(dǎo)體專用模式"，預(yù)設(shè)測量參數(shù)；

3. 批量掃描：啟動后，系統(tǒng)自動完成多區(qū)域拼接與數(shù)據(jù)分析；

4. 報告生成：輸出符合SEMI M43標準的PDF報告，包含Sa、Sq、Sz等參數(shù)。

典型案例
某存儲芯片廠商利用ContourX-500的亞納米級分辨率，檢測出光刻膠涂覆厚度波動0.5nm的差異，通過工藝優(yōu)化將良率從88%提升至95%。