PicoFemto透射電鏡原位MEMS加熱/電學(xué)測量系統(tǒng)澤攸透射電鏡原位MEMS加熱/電學(xué)測量系統(tǒng)，透射電子顯微鏡是提供在較高時間分辨率下得到原子級空間分辨率的實(shí)驗(yàn)手段。
 

透射電子顯微鏡原位加熱/電學(xué)測量系統(tǒng)是在標(biāo)準(zhǔn)外形的透射電鏡樣品桿內(nèi)安裝MEMS工藝制成的微加熱芯片和電學(xué)測量芯片。微加熱芯片可對樣品進(jìn)行可控溫度的加熱，電學(xué)測量芯片可對樣品進(jìn)行電性質(zhì)測量。并可在進(jìn)行加熱和電學(xué)測量的同時，動態(tài)、高分辨地對樣品的晶體結(jié)構(gòu)、化學(xué)組分、元素價(jià)態(tài)進(jìn)行綜合表征，大大地?cái)U(kuò)展了透射電子顯微鏡的功能與應(yīng)用領(lǐng)域。
 

澤攸透射電鏡原位MEMS加熱/電學(xué)測量系統(tǒng)硬件包括兩部分，分別是加熱/電學(xué)測量控制器、原位MEMS芯片樣品桿。軟件包括自動控溫軟件和自動電學(xué)測量軟件。

性能指標(biāo)：

1.透射電子顯微鏡指標(biāo)：

（1）兼容指*型號電鏡及極靴；

（2）單傾可選高傾角版本；

（3）可選雙傾版本，β角傾轉(zhuǎn)±25°（同時受限于極靴）；

（4）測量電極數(shù)可選。

2.電學(xué)測量指標(biāo)：

（1）包含一個電流電壓測試單元；

（2）電壓輸出Z大±200 V，Z小±100 nV；

（3）電流測量Z大±1.5 A，Z小100 fA；

（4）恒壓或者恒流模式；

（5）自動電流-電壓（I-V）測量、電流-時間（I-t）測量，自動保存。

3.加熱與溫控指標(biāo)：

（1）溫度控制范圍：室溫到1200 ℃；

（2）加熱功率：Z大30 W；

（3）控溫穩(wěn)定性：優(yōu)于±0.1 ℃；

（4）Z大升溫速率：1000 ℃/ms。